存储器行业介绍

所谓存储器，也就是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。

以下为一些常见的存储器类型：




全球存储器行业从1965年开始至今，可分为三个发展阶段：
第一阶段（1965-1974年）为存储器技术萌芽阶段：
美国率先投入到存储器的研究。美国IBM企业最早投入到DRAM（动态随机存取存储器）产品技术研发领域，DRAM作为最为常见的系统内存，数据保持时间较短。1970年，美国IBM公司宣布其将在推出的大型system/370 Model145的主内存上使用存储新品代替磁芯。1971年，美国英特尔公司也研发出DRAM内存。同年，英特尔的DO Frohman成功研发EPROM（电动程控只读存储器，是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片）。

第二阶段（1975-2000年）为存储器技术初步发展阶段：
日本也在此时开始研究存储器。1984年，东芝公司的研发人员首次提出闪存（Flash Memory）概念，并于1989年发布NAND Flash结构。此阶段，美国也未停止研发存储器的脚步，1988年，英特尔首先研发出NOR Flash技术。

第三阶段（2001年至今）为存储器技术快速发展阶段。
随着全球高科技产业的快速发展，美日韩三国抓住了信息家电的需求特性，在全球范围内掀起了存储器应用的研发热潮，且随着科技的进步，存储器产品的可靠性不断提高。

到了21世纪，受到移动通信、5G、物联网、大数据、智能制造等领域快速发展的不断带动，存储器产品的应用市场在逐步开拓，市场需求也在不断攀升。对于近些年的中国集成电路市场而言，存储器一直都是份额占比最大的核心产品。同时，随着DRAM、NAND FLASH等存储器的技术不断发展，在传输速度、存储容量等方面都有着显著提升，这将不断增强相关电子产品的存储性能。

由于性能优异等诸多优势，DRAM与NAND Flash成为市场份额最大的两种存储器。其中，DRAM的市场主要被韩国三星、韩国SK海力士以及美国的美光所垄断。NAND Flash的市场也主要由韩国三星、韩国SK海力士、美国西部数据、美国美光、美国英特尔以及日本铠侠（原东芝储存）等外国厂商占据。

随着国内智能终端技术的发展，中国已经成为存储器的主要销售市场，存储器销售额占全球存储器销售额的一半以上，但上述存储器大部分依靠进口，自制率很低。并且由于存储器被国外厂商高度垄断，中国企业几乎没有议价能力。

随着全球化进程的推进，国家信息安全越发重要，存储器作为存储信息的介质，其重要性更是不言而喻，因此存储器行业成为各个国家投资的重要方向。从2016年开始，国内企业不断加大对存储器产品设计和制造领域的重视程度和投资力度，相关机构先后投资的涉存储器技术企业包括长江存储、长鑫存储以及福建晋华等。其中，长江存储主要致力于NAND Flash的研究，长鑫存储和福建晋华主要致力于DRAM的研究。

虽然我国的存储器企业已经奋起直追，但由于基础比较薄弱，其存储技术与国外相比仍然存在不小的差距。在NAND Flash领域，三星和海力士已研发出了176层的3D NAND Flash，长江存储在2020年研发出了128层的3D NAND Flash。而在DRAM领域，三星已经开始研发第四代10nm级的DRAM，长鑫存储主要工艺为19nm工艺。

并且，在实现存储器国产化的道路上，面临的知识产权风险也很大。在DRAM领域，全球专利布局已经基本完成，主要以美国、韩国和日本为主导，相关技术的专利申请量已经达到十万余件。

反观国内，相关企业的专利布局较晚，专利申请量也较少。长江存储从2017年才开始申请专利，在存储器方面共申请了1800多件。而长鑫存储也主要是从2017年开始申请专利，目前国内企业在存储器方面的专利数量从体量上看还远远落后于国外，且国外企业还掌握着无法绕开的核心专利。我国存储领域的专利体量较小，难以与国外企业形成交叉许可，随着技术越来越成熟，在产品逐渐推陈出新的过程中，我国企业面临专利诉讼的风险也越来越大。